文献

J-GLOBAL ID：201702277423705544   整理番号：17A0581021

原子層堆積により作成されたAlN/Si構造の界面化学特性とバンドアライメントのアニール処理後の効果

Effects of Post Annealing Treatments on the Interfacial Chemical Properties and Band Alignment of AlN/Si Structure Prepared by Atomic Layer Deposition

著者 (11件)： SUN Long (Fudan Univ.) ,  LU Hong-Liang (Fudan Univ.) ,  LU Hong-Liang (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci.) ,  CHEN Hong-Yan (Fudan Univ.) ,  WANG Tao (Fudan Univ.) ,  JI Xin-Ming (Fudan Univ.) ,  LIU Wen-Jun (Fudan Univ.) ,  ZHAO Dongxu (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci.) ,  DEVI Anjana (Ruhr-Univ. Bochum) ,  DING Shi-Jin (Fudan Univ.) ,  ZHANG David Wei (Fudan Univ.)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:102 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積により作成されたAlN/Si構造の界面化学特性とバンドアライメントへのN₂雰囲気中でのアニーリング温度の影響を,x線光電子スペクトロスコピーとスペクトルエリプソメトリーにより調べた。アニーリング温度の増加と共にAlN膜中の酸素が増え,これはアニール中にN₂雰囲気中の僅かな残留H₂OがAlN膜と相互作用する結果である。したがって,界面でのSi-O結合が,AlN膜からSi基板への酸素の拡散により温度の増加と共に徐々にSi-O結合に変換される。特に,アニーリング温度が900°Cのサンプルで,Si-O-Al結合状態が見いだされた。さらに,バンドギャップと価電帯オフセットがアニーリング温度の増加と共に増加することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *窒化アルミニウム ,  *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *アラインメント ,  *熱処理 ,  *温度依存性 ,  X線光電子スペクトル ,  偏光解析法 ,  酸素 ,  *バンドギャップ ,  *価電子バンド ,  *オフセット
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  *バンドアライメント ,  偏光解析

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  AlN ,  Si ,  界面 ,  化学特性 ,  バンドアライメント ,  アニール処理