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J-GLOBAL ID：201702277473914288   整理番号：17A1250765

浮遊基板終端をもつGaN-on-Si横型パワーデバイスの動的R_ON【Powered by NICT】

Dynamic $R_{¥mathrm {ON}}$ of GaN-on-Si Lateral Power Devices With a Floating Substrate Termination

著者 (7件)： Tang Gaofei (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong) ,  Wei Jin (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong) ,  Zhang Zhaofu (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong) ,  Tang Xi (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong) ,  Hua Mengyuan (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong) ,  Wang Hanxing (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong) ,  Chen Kevin J. (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 7  ページ： 937-940  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浮遊Si基板終端をもつ650VのGaN-on-Si横型パワーデバイスの動的オン抵抗(R_ON)を研究した。接地基板終端と比較して,フローティング基板は,より高いドレインバイアス(>400 V)スイッチング動作下でより小さな動的R_ONを送達できるが,低ドレインバイアス(<400 V)下でより大きな動的R_ONをもたらした。内在する物理的機構をGaNバッファ層中のSi基板および電子トラッピング効果における電荷貯蔵の間のトレードオフによって説明される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング ,  バッファ層 ,  *浮遊 ,  オン抵抗 ,  *窒化ガリウム ,  接地 ,  帯電
準シソーラス用語： トラッピング ,  シリコンウエハ ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 浮遊 ,  終端 ,  GaN ,  Si ,  横型 ,  パワーデバイス