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J-GLOBAL ID：201702277769947693   整理番号：17A0852405

ストレスを受けた非晶質InGaZnO薄膜トランジスタ負バイアス照明のミリ秒正バイアス回復【Powered by NICT】

Millisecond Positive Bias Recovery of Negative Bias Illumination Stressed Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors

著者 (2件)： Billah Mohammad Masum (Department of Information Display, Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, Seoul, South Korea) ,  Jang Jin (Department of Information Display, Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 4  ページ： 477-480  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： はIn:Ga:Zn=3:2:1のIGZOと負バイアス照明ストレス(NBIS)下での非晶質インジウム-ガリウム-酸化亜鉛(a IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の劣化した性能の短時間パルス正バイアス回収率(PBR)原子比を示した。NBIS後の非常に短い期間(10~ 3 s)の同時ゲートとドレイン電圧(V_G=V_D=35V)を適用することにより,性能は完全に回収することができた。TCADシミュレーションは,温度が35V PBR,電子捕捉により発生した界面電荷とバルクドナーの中和を促進する410°Cまで増加し,その後元の状態に戻ることを確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *照明 ,  電荷 ,  回収率 ,  *非晶質 ,  *薄膜トランジスタ ,  捕獲 ,  酸化亜鉛 ,  *バイアス ,  界面 ,  パルス
準シソーラス用語： TCAD ,  ドレイン電圧 ,  原子比 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ストレス ,  非晶質 ,  トランジスタ ,  バイアス ,  照明 ,  秒 ,  回復