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J-GLOBAL ID：201702277830417148   整理番号：17A1090614

相転位メモリ応用に対する指示された自己集合パターン形成戦略

Directed self-assembly patterning strategies for phase change memory applications

著者 (16件)： BRUCE Robert L. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  FRACZAK Gloria (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  PAPALIA John M. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  TSAI HsinYu (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  BRIGHTSKY Matt (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  MIYAZOE Hiroyuki (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  ZHU Yu (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  ENGELMANN Sebastian U. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  LUNG Hsiang-Lan (Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  MASUDA Takeshi (ULVAC, Inc., Shizuoka, JPN) ,  SUU Koukou (ULVAC, Inc., Shizuoka, JPN) ,  LIU Chi-Chun (IBM Albany NanoTech, NY) ,  TANG Hao (IBM Albany NanoTech, NY) ,  ARNOLD John C. (IBM Albany NanoTech, NY) ,  FELIX Nelson (IBM Albany NanoTech, NY) ,  LAM Chung H. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10149  ページ： 101490J.1-101490J.10  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DSA(指示された自己集合)は,改良されたCD一様性によって20nmの限界寸法でPCM限定セルを定義する強力なパターニング方法であることを示した。細孔及び柱状ピラー密閉の両セルをDSAパターン転写過程を用いて製造できる。DSA移送における成功に対する主な要求は,PMMAエッチに対するCO/H₂,PSエッチに対するN₂/H₂,及びSiN細孔エッチに対するC₄H₉Fを含む他か選択性エッチであった。20nmの高アスペクト比の直線細孔をこの方法で達成できたが,ALD(原子層堆積)PCM(相転移材料)を有する小さい高アスペクト比の細孔の充填は,追加の最適化を要する課題であった。柱もDSA方式によって達成されたが,主な課題は,適切な機能セルを可能にするPCMのエッチ損傷を最小限に抑えることである。20nm柱状セルを電気試験に持ち込んでエッチの影響と損傷を低減するエッチの最適化を確認する追加作業が必要である。

シソーラス用語： 相転移 ,  記憶装置 ,  *自己集合 ,  *パターン形成 ,  エッチング ,  アスペクト比 ,  化学蒸着 ,  材料 ,  脂肪族アミン
準シソーラス用語： 原子層堆積 ,  相転移材料

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： N-ブチル

タイトルに関連する用語 (5件)： 転位 ,  応用 ,  自己集合 ,  パターン形成 ,  戦略