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J-GLOBAL ID：201702277871463691   整理番号：17A0550844

元素置換サイト設計による室温マルチフェロイックGaFeO₃型酸化物薄膜の磁気誘電特性制御

著者 (5件)： 片山司 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  浜嵜容丞 (東京工大) ,  越阪部拓也 (東京工大) ,  伊藤満 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17a-411-6  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *材料 ,  ガリウム化合物 ,  フェライト ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *強誘電性 ,  *フェリ磁性 ,  *マルチフェロイック材料 ,  酸化物薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 元素 ,  置換 ,  設計 ,  室温 ,  マルチフェロイック ,  酸化物薄膜 ,  磁気 ,  誘電特性