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J-GLOBAL ID：201702277957392917   整理番号：17A0633029

GaNナノピラー光アノードの改善された光電気化学性能

Improved photoelectrochemical performance of GaN nanopillar photoanodes

著者 (5件)： NARANGARI Parvathala Reddy (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  KARUTURI Siva Krishna (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  LYSEVYCH Mykhaylo (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  TAN Hark Hoe (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  JAGADISH Chennupati (Australian National Univ., ACT, AUS)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 15  ページ： 154001,1-9  発行年： 2017年04月18日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上にMOCVDにより窒化ガリウム層をエピタキシャル成長させた。成長に際してシランを添加してキャリア濃度を調節した。酸化ケイ素層のPECVD/ニッケル層の電子ビーム蒸着によりランダムナノマスクを被覆し,酸化ケイ素および窒化ガリウムのICP-RIEエッチング/マスク除去によりGaNナノピラーのランダムアレイを作製した。走査電子顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。光電気化学セルにおける光電極特性を線形掃引ボルタンメトリー,紫外可視拡散反射スペクトルおよびインピーダンススペクトルにより調べた。ドープされたナノピラー電極の光電流密度は平面電極に比べて倍増した。ナノピラー径は閾電圧に影響し,キャリア濃度は閾電圧および過電圧に影響した。酸化ニッケル助触媒の添加が安定性を増大させることを見いだした。

シソーラス用語： MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  エピタクシー ,  薄膜成長 ,  ドーピング ,  添加物効果 ,  シラン ,  キャリア密度 ,  酸化ケイ素 ,  ニッケル ,  RIE【エッチング】 ,  *ナノ構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  *光電極 ,  ボルタンメトリー ,  反射スペクトル ,  インピーダンススペクトル ,  電流密度 ,  過電圧 ,  安定性 ,  酸化ニッケル ,  触媒活性 ,  *電極材料 ,  *光起電力
準シソーラス用語： キャリア濃度 ,  サファイア基板 ,  *ナノピラー ,  マスクパターン ,  リニアスイープボルタンメトリー ,  拡散反射スペクトル ,  *光電気化学セル ,  電極構造 ,  電極触媒活性

分類 (4件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  光化学反応  (CB08020F) ,  電極過程  (CB07040U) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  ナノピラー ,  光アノード ,  光電気化学