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J-GLOBAL ID：201702278004213662   整理番号：17A0400973

低温度でのα-クアテルチオフェン誘導層を用いたルブレン薄膜成長の機構【Powered by NICT】

Mechanism of rubrene thin film growth using α-quaterthiophene inducing layer at low temperature

著者 (10件)： Wang Lijuan (School of Chemical Engineering, Changchun University of Technology, Changchun 130012, China) ,  Yan Chuang (School of Chemical Engineering, Changchun University of Technology, Changchun 130012, China) ,  Zhang Liang (School of Chemical Engineering, Changchun University of Technology, Changchun 130012, China) ,  Sun Yang (School of Chemical Engineering, Changchun University of Technology, Changchun 130012, China) ,  Yin Li (School of Chemical Engineering, Changchun University of Technology, Changchun 130012, China) ,  Sun Lijing (School of Chemical Engineering, Changchun University of Technology, Changchun 130012, China) ,  Du Hao (School of Chemical Engineering, Changchun University of Technology, Changchun 130012, China) ,  Song Xiaofeng (School of Chemical Engineering, Changchun University of Technology, Changchun 130012, China) ,  Zhang Jidong (State Key Lab of Polymer Physics and Chemistry, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Science, Changchun 130022, China) ,  Yang Junliang (School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 621  ページ： 131-136  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 裸SiO_2基板上に室温でとSiO_2基板上のα-クアテルチオフェン(α 4T)誘導層のトップ上のルブレン薄膜の成長を調べた。ルブレン薄膜とα-4T誘導層は真空蒸着法によって調製し,原子間力顕微鏡とX線回折によって特性化した。SiO_2基板上に直接蒸着したルブレン薄膜はその表面に正孔の数を持っていたが,SiO_2基板上にα-4T誘導層の上に成長させたものは高度に規則的なモルフォロジーと構造を示した。大面積で秩序化したルブレン薄膜を作製ヘテロ構造におけるα-4T誘導層と一致し適切にできることが分かった。二種類のルブレン膜の成長機構を,異なる厚さの膜で得られた結果から観察された。SiO_2基板上にα-4T誘導層を用いて低温で調製したルブレン薄膜は大表面積でフレキシブルなディスプレイへの応用の大きな可能性を持っていると結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 真空蒸着 ,  蒸着 ,  原子間力顕微鏡 ,  正孔 ,  *薄膜成長 ,  X線回折 ,  モルフォロジー ,  *薄膜 ,  表面積 ,  キャラクタリゼーション ,  *低温
準シソーラス用語： 原子間力顕微鏡法 ,  ヘテロ構造 ,  大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ルブレン ,  α-クアテルチオフェン ,  成長誘導層 ,  成長機構 ,  原子間力顕微鏡観察

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： ルブレン

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温度 ,  α-クアテルチオフェン ,  誘導 ,  ルブレン ,  薄膜成長