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J-GLOBAL ID：201702278039969237   整理番号：17A0852408

薄膜CdTe/CdSに基づくアバランシェフォトダイオードの作製と解析【Powered by NICT】

Fabrication and Analysis of Thin Film CdTe/CdS-Based Avalanche Photodiodes

著者 (3件)： Qaradaghi Vahid (The University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA) ,  Mejia Israel (The University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA) ,  Quevedo-Lopez Manuel (The University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 4  ページ： 489-492  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜CdTe/CdSベースアバランシェフォトダイオード(APD)を作製し,キャラクタライズすることに成功した。分離吸収と増倍CdTe/CdS p-i-n-i-n APDを提案し,作製し,分析した。従来のp-i-n APDと比較して,p-i-n-i-n構造は早期マイクロプラズマ破壊の確率を減少させ,147年から473年までの利得を上げ,研究電圧を減少させるから29Vに21VAPDの応答性は60AW~ 1に達することができ,フォトダイオードのアバランシェ利得は約22で473Vであった。CdTe/CdSベースAPDに関する以前の報告は見あたらないことを考慮すると,本論文で報告した結果は,高性能CdTe/CdS薄膜フォトダイオードへの経路を約束するものである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  応答特性 ,  *薄膜 ,  *フォトダイオード ,  *テルル化カドミウム ,  利得 ,  *硫化カドミウム ,  電圧
準シソーラス用語： マイクロプラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜 ,  CdTe ,  CdS ,  アバランシェフォトダイオード ,  作製 ,  解析