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J-GLOBAL ID：201702278116441829   整理番号：17A0402817

パルスレーザ蒸着により成長させた極薄MoS_2膜の構造特性に及ぼすGaN/AlGaN/GaN(0001)及びSi(100)基板の影響【Powered by NICT】

Influence of GaN/AlGaN/GaN (0001) and Si (100) substrates on structural properties of extremely thin MoS₂ films grown by pulsed laser deposition

著者 (6件)： Chromik S. (Institute of Electrical Engineering, SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Sojkova M. (Institute of Electrical Engineering, SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Vretenar V. (STU Centre for Nanodiagnostics, Vazovova 5, 812 43 Bratislava, Slovakia) ,  Rosova A. (Institute of Electrical Engineering, SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Dobrocka E. (Institute of Electrical Engineering, SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Hulman M. (Institute of Electrical Engineering, SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 232-236  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着による化学量論組成ターゲットから六方晶GaN/AlGaN/GaN(0001)とSi(100)基板上に作製した非常に薄いMoS_2膜。RamanとX線反射率測定からの結果は,最も薄い試料は2 2 5nm厚であることを示した。二つの数量間の簡単な直接比例が観察されたにもかかわらず厚さは適用レーザパルス数と共に増加した。化学量論について,堆積したままの膜内のMoとS元素の分布はかなり複雑である。化学量論MoS_2は膜の一部だけをつくる。それにもかかわらず,制限視野電子回折研究は,Si(100)上に堆積した膜はナノ結晶であり,基板表面に垂直に配向したMoS_2膜のエピタキシャル成長をGaN/AlGaN/GaN(0001)基板上に観察されたことを確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ結晶 ,  化学量論 ,  *窒化ガリウム ,  六方晶系 ,  *モリブデン ,  Raman分光法 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  制限視野回折 ,  レーザパルス ,  *構造特性
準シソーラス用語： X線反射率法 ,  化学量論組成 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： MoS_2 ,  パルスレーザ蒸着 ,  化学量論ターゲット ,  GaN/AlGaN/GaN(0001) ,  Si(100) ,  Raman分光法 ,  TEM分析 ,  AES分析

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ蒸着 ,  成長 ,  極 ,  構造特性 ,  GaN ,  AlGaN ,  Si