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J-GLOBAL ID：201702278122598999   整理番号：17A1250760

モノリシック集積のためのトレンチアイソレーションを用いた200mm GaN-on-SOIに及ぼすp-GaN EMT作製した200Vエンハンスメントモード【Powered by NICT】

200 V Enhancement-Mode p-GaN HEMTs Fabricated on 200 mm GaN-on-SOI With Trench Isolation for Monolithic Integration

著者 (8件)： Li Xiangdong (imec, Leuven, Belgium) ,  Van Hove Marleen (imec, Leuven, Belgium) ,  Zhao Ming (imec, Leuven, Belgium) ,  Geens Karen (imec, Leuven, Belgium) ,  Lempinen Vesa-Pekka (Okmetic Oyj, Vantaa, Finland) ,  Sormunen Jaakko (Okmetic Oyj, Vantaa, Finland) ,  Groeseneken Guido (imec, Leuven, Belgium) ,  Decoutere Stefaan (imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 7  ページ： 918-921  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイスは,通常の電導性Si基板を共有するため同じGaN-on-Siウエハ上のハーフブリッジのモノリシック集積は非常に挑戦的である。本短報において,筆者らはSiO_2埋込み層におけるGaN/Si(111)層と阻止によるトレンチエッチングによるデバイスを分離するためにGaN-on-SOI(シリコン・オン・インシュレータ(SOI)を用いることを提案した。良く制御されたエピタクシーとデバイス作製により,ゲート幅36mmの高速200V増強モード(eモード)p-GaN高電子移動度トランジスタを達成した。トレンチ分離と組み合わせたGaN-on-SOIを用いることにより,モノリシック同じウエハ上にGaN電力システムを統合する寄生インダクタンスとダイサイズを低減するために非常に有望であることを実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  導電性 ,  エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  電力系統 ,  高速度
準シソーラス用語： 寄生インダクタンス ,  *トレンチ ,  ゲート幅 ,  埋込み層 ,  ハーフブリッジ ,  シリコンウエハ ,  *エンハンスメントモード ,  *モノリシック集積化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： モノリシック集積 ,  トレンチ ,  アイソレーション ,  GaN ,  SOI ,  EMT ,  作製 ,  エンハンスメントモード