一定成長率で成長させた歪結合多層In(Ga)As/GaAs量子ドットにおける量子ドットサイズ均一性の証拠【Powered by NICT】

Panda Debiprasad; Ahmad Aijaz; Ghadi Hemant; Adhikary Sourav; Tongbram Binita; Chakrabarti Subhananda

文献

J-GLOBAL ID：201702278148738628 整理番号：17A1622988

一定成長率で成長させた歪結合多層In(Ga)As/GaAs量子ドットにおける量子ドットサイズ均一性の証拠【Powered by NICT】

Evidence of quantum dot size uniformity in strain-coupled multilayered In(Ga)As/GaAs QDs grown with constant overgrowth percentage

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A1622988&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A1622988&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0731A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 192 ページ： 562-566 発行年： 2017年
JST資料番号： D0731A ISSN： 0022-2313 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

歪結合多層量子ドット(QD)構造は,それらの不均一なドットサイズ分布,成長したままの欠陥と転位により制限されている。これらの制限にもかかわらず,それらは高い光学的およびデバイス効率のため,関心の主題である。本研究では,QDの単一層(ML)の成長を,反射高エネルギー電子回折(RHEED)パターンに基づいて変化均一なドットサイズ分布を持つ無欠陥構造を達成することである改良型成長方法を提案した。成長割合,すなわち臨界厚さ(二次元(2D)三次元(3D)に限定された構造からの転移に必要な最小厚さ)上の単分子層沈着は修飾された戦略で一定に維持した。この主張を検証するために,著者らは通常の歪結合多層構造と比較し,改善された光学性能とデバイス特性を示した。光ルミネセンス分光法は,提案した方法によって成長させた歪結合多層ヘテロ構造における単一モード量子ドット分布を示した。電力依存光ルミネセンス(PL)測定は単一基底状態ピークの存在を確認した。提案した戦略は,従来の多層QDと比較して欠陥のない構造と良好なキャリア捕獲速度を与えた。提案された量子ドット赤外光検出器(QDIP)から観察されたスペクトル応答は中赤外領域(3.92μmと4.54μm)における多重ピーク,これは赤外検出器や焦点面アレイを作製するための本質的な要求の一つであることを示した。種々の温度(650 800°C)での成長後熱アニーリング処理が,活性化エネルギー,基底状態発光ピーク,および熱安定性の変化を検証した。基底状態PL発光ピーク(<2%)と熱活性化エネルギー(<2%)における無視できる変化は750°Cまで観察された。アニールした試料の基底状態ピークの半値全幅(FWHM)値における全幅は同様の傾向を示した。高温熱安定性は,均一なQDサイズから実現材料相互拡散と改良された量子閉じ込めを妨げる高歪場に起因するおそらく達成された。本論文で使用された改質成長戦略は,改善された光学的特性だけでなく,有用なデバイス性能,防御地域における夜間ビジョンカメラ,医療応用における癌検出器と熱イメージャの製造などに有用である焦点面アレイ。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

, , , , , , , , , , , , ,
, 【Automatic Indexing@JST】

半導体のルミネセンス , 無機化合物一般及び元素 , 半導体の結晶成長

, , , , , , , , ,

前のページに戻る