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J-GLOBAL ID：201702278204038018   整理番号：17A1999801

ダイヤモンド状炭素膜の化学構造解析I表面成長モデル【Powered by NICT】

Chemical structural analysis of diamondlike carbon films: I. Surface growth model

著者 (8件)： Takabayashi Susumu (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Jesko Radek (Cooperative Laboratory Study (COLABS) Program, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Jesko Radek (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Shinohara Masanori (Department of Electrical and Electronic Engineering, National Institute of Technology, Sasebo College, 1-1 Okishin-cho, Sasebo, Nagasaki 857-1193, Japan) ,  Hayashi Hiroyuki (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Sugimoto Rintaro (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Ogawa Shuichi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Takakuwa Yuji (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 668  ページ： 29-35  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド状炭素(DLC)膜の表面成長機構を明らかにした。DLC膜は光電子放出支援プラズマ増強化学蒸着の光電子放出支援グロー放電による700°Cまでの種々の温度で固定メタンへのアルゴン比の雰囲気中で合成した。合成温度が増加すると膜の電気抵抗率は対数的に減少した。逆に,膜の誘電定数は増加し,高温度で発散となった。しかし,150°Cで合成した膜の非常に高い電気抵抗率は500°Cまでの温度でのポストアニーリング処理後でも保持され,誘電率の発散は観察されなかった。このような膜は優れた熱安定性を示し,大量の水素の,ポストアニーリング処理後でさえ保持していた。これらの結果は,多くの水素原子は低温で合成時のDLC膜に取り込まれたことを示唆した。水素原子は膜中の炭素ダングリングボンドを終端π共役成長を制限する。高温度での合成の際には,水素は成長膜の内部から脱着し,π共役導電膜が形成された。さらに,水素ラジカルは,成長するDLC表面での,炭素原子による化学吸着した,メタンガスとして表面からの炭素原子の除去をもたらした。メタン分子は表面上の電子の攻撃を経て炭化水素と水素ラジカルに分解した。水素ラジカルは膜のエッチング反応サイクルに寄与していた。炭化水素ラジカルは他のラジカルとメタン源との反応により重合させた。高分子ラジカルは膜以上に維持され,メタン源の供給を防止し,アルゴンイオンの作用を破壊した。高温では,得られたDLC膜は粗く薄い。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高温 ,  光電子放出 ,  化学吸着 ,  プラズマCVD ,  DLC膜 ,  水素 ,  アルゴン ,  *ダイヤモンド状炭素 ,  誘電率 ,  ラジカル ,  *炭素 ,  炭化水素 ,  電気抵抗率 ,  アルカン
準シソーラス用語： 水素ラジカル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ダイヤモンド状炭素(DLC) ,  光電子放出支援プラズマ増強化学蒸着(PA PECVD) ,  表面成長機構

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  固-固界面  (CB12060M)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド状炭素 ,  化学 ,  構造解析 ,  モデル