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J-GLOBAL ID：201702278389238276   整理番号：17A0640871

シリコンナノ構造の高温炭化により作った炭化ケイ素ナノワイヤの構造と光学的性質

Structural and Optical Properties of Silicon-Carbide Nanowires Produced by the High-Temperature Carbonization of Silicon Nanostructures

著者 (5件)： PAVLIKOV A. V. (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  LATUKHINA N. V. (Samara National Res. Univ., Samara, RUS) ,  CHEPURNOV V. I. (Samara National Res. Univ., Samara, RUS) ,  TIMOSHENKO V. Yu. (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  TIMOSHENKO V. Yu. (Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 3  ページ： 402-406  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径40~50nmのSiCナノワイヤをシードとしての多孔質シリコンとシリコンナノワイヤの高温炭化で作った。SiCナノワイヤを走査顕微鏡,X線回折,Raman分光と赤外反射分光で調べた。その結晶構造は立方晶系で3C型であった。800~000°Cの残留放射線バンド域での赤外反射スペクトル形状は自由電荷キャリアの存在を示していた。SiCナノワイヤをマイクロエレクトロニクス,フォトニクスやガス検知に使用する可能性を議論する。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  *炭化 ,  *炭化ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  構造 ,  *光学的性質 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  残留放射能 ,  キャリア ,  赤外線 ,  Raman分光法 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 3C-SiC ,  電荷キャリア ,  反射分光法

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  ナノ構造 ,  炭化 ,  ケイ素ナノワイヤ ,  光学的性質