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J-GLOBAL ID：201702278774278600   整理番号：17A0594649

収差補正型走査透過型電子顕微鏡を用いた化合物半導体およびヘテロ界面の観察

Observation of compound semiconductors and heterovalent interfaces using aberration-corrected scanning transmission electron microscopy

著者 (5件)： SMITH David J. (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  LU Jing (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  AOKI Toshihiro (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  MCCARTNEY Martha R. (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  ZHANG Yong-Hang (Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 32  号： 5  ページ： 921-927  発行年： 2017年03月14日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 既存のデバイスは,グループII-VI/II-IV(CdTe/HgTe),III-V/III-V(InN/GaN)化合物のような同一の等価や等構造の化学ファミリーの材料に基づいている。しかし,これら基板の幅広い多様性は,モノリシックデバイスの統合を困難にしている。一方,収差補正の開発により,収差補正型走査型透過型電子顕微鏡(AC-STEM)では,サブオングストローム分解能を達成することが可能となり,先端材料の構造および特性を決定する機会が増えている。そこで本研究では,AC-STEMの高角度環状暗視野(HAADF)イメージングを用いて,閃亜鉛鉱構造を有するII-VI族/III-V族化合物半導体のいくつかの対を詳細に研究した。その結果,1)CdTe/InSb(Δa/a≦0.05%),ZnTe/InP(Δa/a=3.8%),ZnTe/GaAs(Δa/a=7.4%)が全ての原子価ミスマッチであった。2)CdTe/InSb(001)界面は欠陥のないことが観察され,界面でのわずかな格子収縮を確認した。などの知見を得た。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  テルル化カドミウム ,  アンチモン化インジウム ,  テルル化亜鉛 ,  リン化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  収差補正 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  *閃亜鉛鉱型結晶 ,  原子価 ,  不整合 ,  刃状転位 ,  エピタクシー ,  バンドギャップ ,  視野 ,  MBE成長 ,  薄膜成長 ,  *界面 ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： AC-STEM ,  CdTe ,  GaAs ,  III-V ,  II-VI ,  InP ,  InSb ,  ZnTe ,  暗視野 ,  接合界面 ,  *半導体-半導体界面

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 収差補正 ,  走査透過型電子顕微鏡 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ界面 ,  観察