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J-GLOBAL ID:201702278781752397   整理番号:17A0953278

三元系Si1-x-ySnxCy合金層の固相結晶および結晶性と光学的性質の特性評価

Solid-phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of their crystalline and optical properties
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巻: 56  号: 1S  ページ: 01AB02.1-01AB02.7  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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絶縁体表面上の三元系Si1-x-ySnxCy合金層の固相結晶を検討した。無線周波数マグネトロンスパッタリング法および固相結晶化のための温度400~800°Cのアニールを使用して,Sn濃度0~20%・C濃度0~10%のアモルファスSi1-x-ySnxCy層を水晶基板上に蒸着した。Si1-x-ySnxCy層の結晶性および結晶構造に対するSn・C導入の影響を検討した。Si1-yCy二元合金層は800°Cでも結晶化が困難であるのに対して,Snを導入することで,Si1-x-ySnxCy層の結晶化温度は400°Cへと効果的に低下できることが分かった。さらに,X線光電子分光測定の結果,Sn導入によって,三元系合金の置換サイトへのC原子導入が効果的に促進されることが明らかになった。多結晶Si1-x-ySnxCy層中の置換C濃度の評価値は7.2%であった。この値は,Si母材中Cの熱平衡固溶度を超えている。さらに,Si1-x-ySnxCy三元系合金の吸収スペクトルを検討した。(翻訳著者抄録)
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金属薄膜 

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