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J-GLOBAL ID：201702278823496692   整理番号：17A0953635

衝突イオン化モードで切り替えた大電力サイリスタのケースについての電圧降下過程の研究

Study of the Voltage Drop Process for the Case of High-Power Thyristors Switched in the Impact-Ionization Mode

著者 (6件)： GUSEV A. I. (Inst. of Electrophysics, Ural Branch, Russian Acad. of Sci., Yekaterinburg, RUS) ,  GUSEV A. I. (Ural Federal Univ. after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, RUS) ,  LYUBUTIN S. K. (Inst. of Electrophysics, Ural Branch, Russian Acad. of Sci., Yekaterinburg, RUS) ,  RUKIN S. N. (Inst. of Electrophysics, Ural Branch, Russian Acad. of Sci., Yekaterinburg, RUS) ,  TSYRANOV S. N. (Inst. of Electrophysics, Ural Branch, Russian Acad. of Sci., Yekaterinburg, RUS) ,  TSYRANOV S. N. (Ural Federal Univ. after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 5  ページ： 649-656  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ秒立ち上がり時間の高電圧パルスで励起し衝突イオン化により伝導状態に投入した大電力サイリスタのケースについての電圧降下過程を調べた。実験においては立ち上がり速度dU/dtが0.5から0.6kV/nsの範囲の電圧を動作電圧2kVのサイリスタに印加する。数値シミュレーションにより,計算した及び実験で観測した電圧降下が定量的に一致するのはその中を通ってスイッチ電流が流れる構造活性領域の面積がdU/dtに依存する場合だけであることを示した。活性面積はdU/dtとともに及び当初のシリコン抵抗率とともに増加した。

シソーラス用語： *衝突イオン化 ,  *サイリスタ ,  *電圧降下 ,  *ナノ秒 ,  時間 ,  シミュレーション ,  活性部位 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  立上り時間

分類 (1件)： サイリスタ  (NC03060C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 衝突イオン化 ,  大電力 ,  サイリスタ ,  電圧降下 ,  過程 ,  研究