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J-GLOBAL ID：201702278994981335   整理番号：17A0527045

エピタクシーカルコゲナイド薄膜とデバイスの成長のための一般的なトップダウンイオン交換プロセス

General Top-Down Ion Exchange Process for the Growth of Epitaxial Chalcogenide Thin Films and Devices

著者 (6件)： XIA Chuan (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  LI Peng (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  LI Jun (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  JIANG Qiu (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  ZHANG Xixiang (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  ALSHAREEF Husam N. (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 2  ページ： 690-698  発行年： 2017年01月24日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiCo₂O₄とCu₂O薄膜を例として,OとSの常温イオン交換による種々のカロゲナイド薄膜NiCo₂S₄やCu_1.8Sの作製と形態や電気的特性について報告した。(001)MgO基板上に作製した酸化物膜をNaHS溶液やNaS₂溶液中に常温で数h浸漬することによって,条件によりヘテロ接合薄膜や自立性薄膜などを作成できて,従来の薄膜より優れた電気特性を確認できた。

シソーラス用語： セラミック膜 ,  エレクトロセラミック ,  *コバルト化合物 ,  ニッケル化合物 ,  硫化物 ,  カルコゲン化物 ,  イオン交換 ,  鉱物合成 ,  ヘテロ接合 ,  電気的性質

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  成長 ,  トップダウン ,  イオン交換 ,  プロセス