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J-GLOBAL ID：201702279106419916   整理番号：17A1170242

光応答増強のためのグラフェン上の垂直積層横方向ヘテロ構造2H/1t’-MoS_2による三相2次元材料【Powered by NICT】

Triphasic 2D Materials by Vertically Stacking Laterally Heterostructured 2H-/1T′-MoS₂ on Graphene for Enhanced Photoresponse

著者 (11件)： Cui Weili (College of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, P. R. China) ,  Xu Shanshan (College of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, P. R. China) ,  Yan Bo (College of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, P. R. China) ,  Guo Zhihua (College of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, P. R. China) ,  Xu Qun (College of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, P. R. China) ,  Sumpter Bobby G. (Center for Nanophase Materials Sciences and Computational Sciences and Engineering Division, Oak Ridge National Lab, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Huang Jingsong (Center for Nanophase Materials Sciences and Computational Sciences and Engineering Division, Oak Ridge National Lab, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Yin Shiwei (Key Laboratory for Macromolecular Science of Shaanxi Province, School of Chemistry and Chemical Engineering, Shaanxi Normal University, Xi’an City, 710062, P. R. China) ,  Zhao Huijun (Centre for Clean Environment and Energy, Griffith School of Environment, Griffith University, Gold Coast Campus, QLD, 4222, Australia) ,  Zhao Huijun (Centre for Environmental and Energy Nanomaterials, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Wang Yun (Centre for Clean Environment and Energy, Griffith School of Environment, Griffith University, Gold Coast Campus, QLD, 4222, Australia)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700024  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近2D材料の応用は,横方向または垂直ハイブリダイゼーションを介してそれらの機械的,電子的,及び光学的特性を操作することによって拡大した。超臨界二酸化炭素の助けを借りて,グラフェン上の横方向2H-/1T′-モリブデンジスルフィド(MoS_2)ヘテロ構造を垂直に積み重ねることによる新しい三相2D材料の設計と製作を報告した。三相構造は水素発生反応のための光電流密度を著しく増加させることを実験により示した。第一原理理論的分析は,この改良された光応答は,3相ヘテロ構造の有益なバンド整列に帰せられることを明らかにした。より具体的には,電子は,その強い垂直界面電子結合の結果としての高導電性グラフェン層による1t’-MoS_2相にホップできる。続いて,1t’-MoS_2相で得られた電子は横方向ヘテロ接合構造を通しての光励起2H MoS_2相上の光正孔を埋めるために利用し,それによって2H MoS_2相上の光誘起電荷キャリアの再結合過程を抑制した。この新しい三相概念はフォトニクスエネルギー変換応用のための2Dハイブリッド材料の分子設計を拡大する新しい道を開くことを約束する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光ポンピング ,  水素発生反応 ,  分子設計 ,  電流密度 ,  *グラフェン ,  エネルギー変換 ,  導電性 ,  光学的性質 ,  第一原理 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： ハイブリッド材料 ,  電荷キャリア ,  *三相 ,  *ヘテロ構造 ,  *光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2次元ヘテロ構造 ,  水素発生反応 ,  横方向ヘテロ接合 ,  photoresponse ,  三相垂直スタッキング

分類 (1件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光応答 ,  増強 ,  グラフェン ,  垂直 ,  横方向 ,  ヘテロ構造 ,  三相 ,  2次元