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J-GLOBAL ID:201702279273858903   整理番号:17A1721736

不連続抵抗SnO2バッファ層を持つ高品質CdS/CdTe P-N接合ダイオード【Powered by NICT】

High Quality CdS/CdTe P-N Junction Diode With a Noncontinuous Resistive SnO2 Buffer Layer
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 1761-1766  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高効率CdTe薄膜太陽電池のn型CdS窓層の光吸収を低減するために,窓層は可能な限り薄くなければならないが,p-n接合の機能を維持するために任せられるべき十分な厚さ。しかし,多くのランダムシャント/短絡micropathsは反応/相互拡散により,透明導電性酸化物(TCO)薄膜上のCdSの非連続被覆に起因するCdS消費によるCdS/CdTe界面で形成された。これらのシャント/短絡経路は,低開回路電圧の主な原因とCdTe薄膜太陽電池の低効率である。本研究では,電子シャントブロッキング層としてTCOとCdS窓層の間の非連続高抵抗酸化スズ(SnO_2)層を用いることを提案する。実験結果は,10nm以下の厚さを持つ,非連続SnO_2の挿入はSnO_2がないものに比べて効率の増強は20%,開回路電圧(V_oc)を増加させた14%によることを示した。microshunting/短絡経路を効果的に低減し,デバイスの作製の再現性を改善する薄膜太陽電池作製のための重要な設計戦略を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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