Pandey Tribhuwan について
Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India について
Nayak Avinash P. について
Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA について
Liu Jin について
Department of Geological Sciences, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA について
Moran Samuel T. について
Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA について
Kim Joon-Seok について
Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA について
Li Lain-Jong について
Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955, Saudi Arabia について
Lin Jung-Fu について
Department of Geological Sciences, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA について
Lin Jung-Fu について
Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research (HPSTAR), Shanghai, 201203, P. R. China について
Akinwande Deji について
Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA について
Singh Abhishek K. について
Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India について
Small について
Fermi準位 について
グラフェン について
静水圧 について
電荷移動 について
p型ドーピング について
Dirac点 について
印加電圧 について
ヘテロ構造 について
単層グラフェン について
ドーピング について
グラフェン について
heterostructures について
静水圧 について
二硫化モリブデン について
Ramanスペクトル について
トランジスタ について
炭素とその化合物 について
単層グラフェン について
ヘテロ構造 について
誘起 について
電荷移動 について
ドーピング について