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J-GLOBAL ID：201702279495722611   整理番号：17A1633066

InSeおよび黒りんヘテロ構造によるInSe単分子層における正孔移動度の増強【Powered by NICT】

Enhancement of hole mobility in InSe monolayer via an InSe and black phosphorus heterostructure

著者 (10件)： Ding Yi-min (State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China. [e-mail]) ,  Shi Jun-jie ,  Xia Congxin ,  Zhang Min ,  Du Juan ,  Huang Pu ,  Wu Meng ,  Wang Hui ,  Cen Yu-lang ,  Pan Shu-hang
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 38  ページ： 14682-14689  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InSe単分子層の低い正孔移動度(~40 cm~2 V~ 1 s~ 1)を向上させるために,高い正孔移動度(~10~3 cm~2 V~ 1 s~ 1)とInSeと黒りん(BP)単分子層で作られた新規の二次元(2D)van der Waalsヘテロ構造を製作し,その構造と電子特性を,第一原理計算を用いて調べた。InSe/BPヘテロ構造はInSe(BP)層に位置する電子(正孔)と1.39eVとII型バンドアラインメントの直接バンドギャップを示すことを見出した。InSeとBPのバンドオフセットは価電子帯最大の伝導帯最小値の0.78eVと0.86eVであった。驚いたことに,InSe/BPヘテロ構造中の正孔移動度は10~4cm~2V~ 1s~ 1,BPの正孔移動度より大きく,InSe単分子層のそれよりも三桁大きい大きさの1桁を超える。電子移動度は3×10~3cm~2V~ 1s~ 1に増加した。物理的理由を詳細に解析し,形成するそれらとヘテロ構造と相補的性質を持つ他の2D材料による2次元材料のキャリア移動度を改善するために提案する普遍的方法。InSe/BPヘテロ構造は,その第二種バンドアラインメント及び高いキャリア移動度のためにナノスケールInSbベース電界効果トランジスタ,光検出器と光起電素子に広く用いることができる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光検出器 ,  *正孔 ,  *単分子層 ,  光起電素子 ,  キャリア移動度 ,  バンドオフセット ,  FET【トランジスタ】 ,  計算 ,  価電子バンド ,  伝導バンド
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  バンドアライメント ,  第一原理計算 ,  *正孔移動度 ,  *ヘテロ構造 ,  *InSe , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： InSe ,  黒りん ,  ヘテロ構造 ,  単分子層 ,  正孔移動度 ,  増強