Tsai Tsung-Ming について
Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan について
Wu Cheng-Hsien について
Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan について
Chang Kuan-Chang について
Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China について
Pan Chih-Hung について
Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan について
Chen Po-Hsun について
Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan について
Lin Ni-Ke について
Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan について
Lin Jiun-Chiu について
Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan について
Lin Yu-Shuo について
Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan について
Chen Wen-Chung について
Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan について
Wu Huaqiang について
Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China について
Deng Ning について
Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China について
Qian He について
Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China について
IEEE Electron Device Letters について
窒化ホウ素 について
フレーク について
ドーピング について
X線光電子分光法 について
スイッチング について
二酸化ケイ素 について
耐久性 について
バッファ層 について
抵抗スイッチング について
酸素イオン について
六方晶窒化ホウ素 について
二層 について
抵抗スイッチングメモリ について
ソフトブレークダウン について
ReRAM について
半導体集積回路 について
抵抗ランダムアクセスメモリ について
BN について
ソフトブレークダウン について
運動能力 について
程度 について