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J-GLOBAL ID：201702279630831228   整理番号：17A1504579

中赤外レーザ応用のための新しいT型GaSb/InAsN量子細線【Powered by NICT】

Novel T-shaped GaSb/InAsN quantum wire for mid-infrared laser applications

著者 (2件)： Ridene Said (Advanced Materials and Quantum Phenomena Laboratory, Physics Department, Faculty of Sciences, Tunis El-Manar University, 2092, Tunisia) ,  Ridene Said (Physics Department, Faculty of Sciences of Bizerte, Carthage University, 7021 Zarzouna, Bizerte, Tunisia)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 381  号： 38  ページ： 3324-3331  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,中赤外レーザにおけるGaSb/InAs-1-xNx/AlGaAsT字型エッジ量子細線活性領域を調べた。マルチバンドk・pモデルと変分定式化は,閉込めエネルギー,バンド構造と光学利得を見出すために適用した。は,次に,どんなT型量子細線に適していることを数値計算する方法を示した。量子細線厚さを調整することにより,21×103cm 1までのTEおよびTM偏光光学利得を室温(RT)であり,高効率中赤外レーザ応用のための代替活性領域として機能する非常に有望で3.11μmが得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子細線 ,  変分法 ,  数値計算 ,  活性部位 ,  定式化 ,  偏光 ,  バンド構造 ,  *アンチモン化ガリウム
準シソーラス用語： 高効率 ,  光利得 ,  k・p法 ,  マルチバンド ,  *中赤外レーザ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 量子細線 ,  数値法 ,  光学利得 ,  中赤外応用

分類 (1件)： 気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中赤外レーザ ,  応用 ,  T型 ,  GaSb ,  量子細線