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J-GLOBAL ID：201702279668840095   整理番号：17A1727283

ナノスケール銅相互接続におけるエレクトロマイグレーションのモデル化【Powered by NICT】

Modeling electromigration in nanoscaled copper interconnects

著者 (4件)： Filipovic L. (Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Gus&hausstras&e 27-29/E360, 1040 Wien, Austria) ,  de Orio R.L. (School of Electrical and Computer Engineering, UNICAMP, Av. Albert Einstein 400, 13083-852 Campinas - SP, Brazil) ,  Zisser W.H. (Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Gus&hausstras&e 27-29/E360, 1040 Wien, Austria) ,  Selberherr S. (Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Gus&hausstras&e 27-29/E360, 1040 Wien, Austria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 161-164  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ナノスケールの銅相互接続における結晶粒界と材料界面をモデル化するためのアプローチを提案した。40×40nmの断面をもつ試料の構造と印加電流密度1MA/cm~2を用いて,無視または結晶粒を含む,比較解析を行い,50nmの平均粒径であった。提案アプローチの新規性は,二成分パラメータを用いたミクロ組織界面の処理,さらに銅抵抗率とエレクトロマイグレーションモデリングのための界面特有の材料特性を定義するために利用されている。著者らのモデルは微細構造効果の包含は抵抗の増加,空格子点移動を増加させ,最終的に高いEM誘起応力をもたらすことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *エレクトロマイグレーション ,  *相互接続 ,  *モデリング ,  微細構造 ,  結晶粒 ,  電流密度 ,  *銅 ,  結晶粒界 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 材料特性 ,  平均粒子径 ,  印加電圧 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  銅 ,  相互接続 ,  エレクトロマイグレーション ,  モデル化