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J-GLOBAL ID：201702279737330228   整理番号：17A0470080

Ti/Al/Ni/AuのOhm接触を用いたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおけるナノ亀裂形成【Powered by NICT】

Nanocrack formation in AlGaN/GaN high electron mobility transistors utilizing Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts

著者 (8件)： Whiting P.G. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States) ,  Rudawski N.G. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States) ,  Holzworth M.R. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States) ,  Pearton S.J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States) ,  Jones K.S. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States) ,  Liu L. (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States) ,  Kang T.S. (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States) ,  Ren F. (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 70  ページ： 41-48  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高動作周波数と高い絶縁破壊電圧が要求されるAlGaN/GaNH EMTはRFとパワーエレクトロニクスの応用に選択される技術になった。源の形成とこれらのデバイスのドレイン接触で利用されている合金化接触方式はフィールドでのオペレーションへのオーミック接触形成以降の瞬間から2DEGを通る電子の伝導に影響を与える。化学分解と走査電子顕微鏡法により,作製した,電気的にストレスを受けたAlGaN/GaNH EMTのオーミック接触の解析から,[11 20]方向に沿って配向した亀裂の存在,合金化オーミックソース/ドレイン接触金属下で存在する金属介在物で核形成を示した。これらの接触領域の端で形成する亀裂は,チャネル領域に広げることができる。電気バイアスはこれらのデバイスのチャネル領域内に存在する最長の亀裂における付加的な増殖を誘導することが明らかになった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元電子ガス ,  *HEMT ,  チャネル ,  バイアス ,  パワーエレクトロニクス ,  介在物 ,  *亀裂 ,  合金化 ,  *Ohm接触 ,  核形成 ,  合金 ,  走査電子顕微鏡法 ,  絶縁破壊電圧 ,  動作周波数 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  改変
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN/GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  故障解析 ,  Fib/SEM ,  Tem ,  合金接触

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ti ,  Al ,  Ni ,  Au ,  Ohm接触 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  亀裂