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J-GLOBAL ID：201702279780235670   整理番号：17A1093577

ジメチル(N-エトキシ-2,2-dimethylcarboxylicpropanamide)インジウムとH_2Oを用いたIn_2O_3薄膜の熱原子層堆積【Powered by NICT】

Thermal atomic layer deposition of In₂O₃ thin films using dimethyl(N-ethoxy-2,2-dimethylcarboxylicpropanamide)indium and H₂O

著者 (12件)： Agbenyeke Raphael Edem (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT), 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Agbenyeke Raphael Edem (Department of Chemical Convergence Materials, University of Science and Technology (UST), 217, Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Deajeon 34113, Republic of Korea) ,  Jung Eun Ae (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT), 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Jung Eun Ae (Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Park Bo Keun (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT), 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Park Bo Keun (Department of Chemical Convergence Materials, University of Science and Technology (UST), 217, Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Deajeon 34113, Republic of Korea) ,  Chung Taek-Mo (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT), 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Chung Taek-Mo (Department of Chemical Convergence Materials, University of Science and Technology (UST), 217, Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Deajeon 34113, Republic of Korea) ,  Kim Chang Gyoun (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT), 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Kim Chang Gyoun (Department of Chemical Convergence Materials, University of Science and Technology (UST), 217, Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Deajeon 34113, Republic of Korea) ,  Han Jeong Hwan (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT), 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Han Jeong Hwan (Department of Chemical Convergence Materials, University of Science and Technology (UST), 217, Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Deajeon 34113, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 419  ページ： 758-763  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウム(In_2O_3)薄膜が,In前駆体及び反応物としてジメチル(N-エトキシ-2,2-dimethylcarboxylicpropanamide)インジウム(Me_2In(EDPA))とH_2Oを用いた原子層堆積により堆積した。In_2O_3膜は300°Cの蒸着温度で0.083nm/サイクルの飽和成長速度を示した。多孔質や非晶質膜は150°Cで成長させた,ち密な多結晶膜は200 300°Cのより高い堆積温度で堆積した。XPS分析は,膜内の無視できる炭素及び窒素不純物取込みを明らかにした。分光偏光解析法とUV-vis分光法によりIn_2O_3推定された膜のバンドギャップは約3.7eVであり,150から300°Cの蒸着温度による屈折率の増加は,高密度膜はより高い温度で成長させたことを示した。In_2O_3膜の高い透過率(可視光で>94%)と良好な電気的性質(抵抗率~,1.2 7mΩcm,Hall移動度~,28 66cm~/Vs)は,オプトエレクトロニクス応用のための実行可能な選択肢である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 可視光 ,  オプトエレクトロニクス ,  屈折率 ,  多結晶 ,  *インジウム ,  電気的性質 ,  成長速度 ,  *薄膜 ,  X線光電子分光法 ,  前駆体 ,  電気抵抗率 ,  X線光電子スペクトル ,  透過率 ,  Hall移動度 ,  酸化インジウム
準シソーラス用語： 蒸着温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子層堆積 ,  Me_2In(EDPA) ,  In_2O_3 ,  酸化物半導体

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ジメチル ,  インジウム ,  薄膜 ,  原子層堆積