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J-GLOBAL ID：201702279799019842   整理番号：17A1350201

スピン-オン-グラスソース/ドレインドーピングによるGa_2O_3MOSFETの温度依存特性【Powered by NICT】

Temperature dependent characterization of Ga₂O₃ MOSFETs with Spin-on-Glass source/drain doping

著者 (2件)： Zeng Ke (Electrical Engineering Department, University at Buffalo (SUNY), Buffalo, NY, 14260, USA) ,  Singisetti Uttam (Electrical Engineering Department, University at Buffalo (SUNY), Buffalo, NY, 14260, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-ガリウム酸化物(Ga_2O_3)は,その大きなバンドギャップのために次世代パワーエレクトロニクス応用のためにますます魅力的な選択,高Baligaの性能指数(BFoM)の上昇を与える良好な移動度,数桁に亘って優れたドーピング制御を持つ成熟したバルクと薄膜成長技術[1 3]である。,最近の実験的MOSFETは大きな絶縁破壊電圧(750 V),大きな上の電流密度(0.6 A/mm),増強モード動作,記録的に高い絶縁破壊電界強度(3.8 MV/cm)を示した;の高効率パワーデバイスのための技術の可能性を示した。ソース/ドレイン(S/D)接触とアクセス抵抗はパワーデバイスにおける還元された伝導損失を減少させるためにする必要がある。Siイオン注入はソース抵抗を低減するために以前に使用した。代わりに,著者らは表面での高いドーピング密度を達成し,比接触抵抗(ρ_c)[4]を低減するための新規な,簡単で有効なSnをドープしたスピン-オン-ガラス(SOG)ドーピングを提案した。2.1±1.4×10~ 5Ωcm~2のρ_cであるイオン注入したS/D接合に匹敵する20nm超浅接合で得られた。大ドレイン電流密度(40 mA/mm)はSOG S/Dドーピングを用いたMOSFETで測定した。ここでは,スピンオンガラスS/DドーピングによるGa_2O_3MOSFETの温度依存特性を報告した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *ドーピング ,  イオン注入 ,  電流密度 ,  パワーエレクトロニクス ,  ガラス ,  薄膜成長 ,  *温度依存性 ,  絶縁破壊 ,  性能指数 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  パワーデバイス ,  絶縁破壊電圧 ,  *ドーピング【薬】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： スピン ,  グラス ,  ソース ,  温度依存