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J-GLOBAL ID：201702279815111665   整理番号：17A0398805

密度汎関数理論を用いた窒化ホウ素ナノチューブの導電特性に及ぼすドープしたAl原子の配置の影響の研究【Powered by NICT】

Studying the effects of the configuration of doped Al atoms on the conductive properties of boron nitride nanotube using density functional theory

著者 (5件)： Tavangar Zahra (Department of Physical Chemistry, Faculty of Chemistry, University of Kashan, Iran) ,  Tavangar Zahra (Institute of Nano Science and Nano Technology, University of Kashan, Kashan, Iran) ,  Hamadanian Masood (Department of Physical Chemistry, Faculty of Chemistry, University of Kashan, Iran) ,  Hamadanian Masood (Institute of Nano Science and Nano Technology, University of Kashan, Kashan, Iran) ,  Basharnavaz Hadi (Department of Physical Chemistry, Faculty of Chemistry, University of Kashan, Iran)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 669  ページ： 29-37  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,(7,0)BNNTの単位格子中にドープした二Al原子の構成,密度汎関数理論法を用いてそれらの固体状態での構造的および電子的性質への影響を調べた。,Al二重ドープ(7,0)BNNTのすべての可能な配置を調べた。結果はAlドーピングと,バンドギャップは減少することを示した。さらに,二個のAl原子は隣接する層の二ほう素原子と置換したときに不純物状態がFermi準位近くに現れた。電荷密度分布の等高線図を代替Al原子に隣接したNおよびB原子を囲む突起を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  バンドギャップ ,  等高線 ,  不純物準位 ,  *密度汎関数法 ,  固相
準シソーラス用語： 電荷密度分布 ,  単位格子 ,  *窒化ホウ素ナノチューブ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2×Alドープ窒化ホウ素ナノチューブ ,  Configuration ,  電子的性質 ,  密度汎関数理論 ,  Fermiエネルギー準位

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 密度汎関数理論 ,  窒化ホウ素ナノチューブ ,  導電特性 ,  ドープ ,  Al原子 ,  研究