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J-GLOBAL ID：201702280044842976   整理番号：17A0453566

化学気相蒸着により成長させた大面積MoS_2薄膜のp型遷移金属ドーピング【Powered by NICT】

p-Type transition-metal doping of large-area MoS₂ thin films grown by chemical vapor deposition

著者 (9件)： Xu E. Z. (Department of Physics, Indiana University, Bloomington, IN 47405, USA. [e-mail]) ,  Liu H. M. ,  Park K. ,  Li Z. ,  Losovyj Y. ,  Starr M. ,  Werbianskyj M. ,  Fertig H. A. ,  Zhang S. X.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 10  ページ： 3576-3584  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元遷移金属二カルコゲン化物(例えばMoS_2)は最近,電子およびオプトエレクトロニクス応用のための有望な材料系として出現した。が,これらの材料のための主要な課題は,バイポーラ電気輸送特性(すなわちp型及びn型伝導),素子性能と機能性を向上させるために重要であることを実現することである。ここでは,他のn型MoS_2におけるp型ドーパントとしての遷移金属亜鉛を示し,1段化学蒸着(CVD)法によって成長させた大面積ZnドープMoS_2薄膜の系統的キャラクタリゼーション。RamanキャラクタリゼーションおよびX線光電子分光研究は,ドーパントとして1 2%Znを用いてミリメートル,単分子膜を同定した。亜鉛ドーピングはMoS_2におけるn型伝導率を抑制し,そのFermi準位をシフト下方。Znドーパントの安定性とp型性質は,形成エネルギーと電子バンド構造の密度汎関数理論計算により確認した。Zn MoS_2膜の電気輸送特性を化学量論によって影響される,硫黄雰囲気下での熱処理によって実現したp型ゲート伝達特性。著者らの研究は,エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスにおける実用化に必須であることを大面積p型遷移金属二カルコゲン化物膜を達成するための有望な経路としての遷移金属ドーピングとそれに続くCVD成長させた膜中の硫黄空格子点除去を明らかにした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  オプトエレクトロニクス ,  電子技術 ,  Fermi準位 ,  亜鉛 ,  X線光電子分光法 ,  カルコゲン化物 ,  化学量論 ,  ドーパント ,  硫黄 ,  *ドーピング ,  *遷移金属
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  単分子膜 ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  大面積 ,  薄膜 ,  遷移金属ドーピング