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J-GLOBAL ID：201702280103205337   整理番号：17A0402811

シリコン上に成長させた閃亜鉛鉱型GaAsナノワイヤにおける双晶と歪緩和【Powered by NICT】

Twins and strain relaxation in zinc-blende GaAs nanowires grown on silicon

著者 (8件)： Pinero J.C. (Dpto. Ciencias de los Materiales, Universidad de Cadiz, 11510, Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Araujo D. (Dpto. Ciencias de los Materiales, Universidad de Cadiz, 11510, Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Pastore C.E. (Dpto. Ciencias de los Materiales, Universidad de Cadiz, 11510, Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Gutierrez M. (Dpto. Ciencias de los Materiales, Universidad de Cadiz, 11510, Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Frigeri C. (Istituto CNR-IMEM Parco Area delle Scienze 37/A, Fontanini, 43010, Parma, Italy) ,  Benali A. (INL-Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR 5270 Ecole Centrale de Lyon 36, Avenue Guy de Collongue, 69134, Ecully Cedex, France) ,  Lelievre J.F. (INL-Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR 5270 Ecole Centrale de Lyon 36, Avenue Guy de Collongue, 69134, Ecully Cedex, France) ,  Gendry M. (INL-Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR 5270 Ecole Centrale de Lyon 36, Avenue Guy de Collongue, 69134, Ecully Cedex, France)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 195-199  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)基板上のGaAsとして大きな格子不整合を持つ材料を統合するために,一つの可能なアプローチ,GaAs結晶品質を改善するために,ナノワイヤ(NW)技術を使用することである。本稿では,NWは蒸気-液体-固体(VLS)法を用いた分子ビームエピタクシー(MBE)による<111>配向したSi基板上に成長させた。透過型電子顕微鏡(TEM)分析は,NWは主に交互ウルツ鉱型と閃亜鉛鉱型(ZB)相を成長させ,数のみが純粋なZBことを示した。後者については,高分解能電子顕微鏡(H REM)はYuan(2013)[1]の計算と限られた一致を示すNWの表面近傍の双晶の存在を明らかにし,{111}<111>方位GaAs北西部における双晶面は表面歪により仲介される引力相互作用を得た。添加では,このような双晶は僅かな歪緩和を可能にし,おそらく双晶と表面間の格子のH REMによる観察された局所的な巨大な弾性歪により誘起された。後者は北西の反対側に片側から歪の反転により示されるように,NWのいくつかのわずかな曲げに起因する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互作用 ,  格子不整合 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ナノワイヤ ,  *双晶 ,  MBE成長 ,  *閃亜鉛鉱 ,  *ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 弾性歪 ,  表面歪 ,  ウルツ鉱 ,  シリコンウエハ ,  結晶品質 ,  *歪緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Nanowires ,  Si/GaAs ,  歪緩和 ,  TEM

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  成長 ,  閃亜鉛鉱 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  双晶 ,  歪緩和