Luc Quang Ho について
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan について
Cheng Shou Po について
Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan について
Chang Po Chun について
Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan について
Do Huy Binh について
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan について
Chen Jin Han について
Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan について
Ha Minh Thien Huu について
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan について
Huynh Sa Hoang について
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan について
Hu Chenming Calvin について
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
Lin Yueh Chin について
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan について
Chang Edward Yi について
Department of Materials Science and Engineering and the Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan について
IEEE Electron Device Letters について
MOSFET について
不動態化 について
化学蒸着 について
プラズマ について
窒化アルミニウム について
絶縁膜 について
誘電体薄膜 について
酸化ハフニウム について
ヒ化ガリウムインジウム について
不定比化合物 について
ゲート絶縁膜 について
パッシベーション について
原子層堆積 について
ゲート誘電体 について
金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ について
HfO2 について
トランジスタ について
HfO2 について
酸化物 について
電界効果トランジスタ について
プラズマ について
強化 について
原子層堆積 について