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J-GLOBAL ID：201702280302132539   整理番号：17A0759418

InP基板上に成長させたInGaAsN/GaAsSb第二種量子井戸ダイオードの特性に及ぼすアニーリングの効果【Powered by NICT】

Annealing effects on the properties of InGaAsN/GaAsSb type-II quantum well diodes grown on InP substrates

著者 (6件)： Kawamura Y. (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8570, Japan) ,  Kawamura Y. (Research Organization for University-Community Collaboration, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8570, Japan) ,  Shishido I. (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8570, Japan) ,  Tanaka S. (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8570, Japan) ,  Kawamata S. (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8570, Japan) ,  Kawamata S. (Research Organization for University-Community Collaboration, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8570, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600510  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシー(MBE)によりInP基板上に成長させたInGaAsN/GaAsSb第二種量子井戸(QW)ダイオードの特性に及ぼすアニーリングの影響を調べた。エレクトロルミネセンス(EL)のピークは大幅な赤方偏移を示し,第二種量子井戸ダイオードの電流-電圧(I V)特性の逆バイアス電流はアニーリングにより増加することが分かった。さらに,Shubnikov-deH aas(SdH)振動の振幅の温度依存性により推定したII型InGaAsN/GaAsSb多重量子井戸(MQW)のInGaAsN層の電子有効質量はアニーリングによって減少することが分かった。観察されたアニーリング効果の機構を考察した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 有効質量 ,  エレクトロルミネセンス ,  *ダイオード ,  赤方偏移 ,  *リン化インジウム ,  温度依存性 ,  *焼なまし ,  化合物半導体 ,  電流 ,  多重量子井戸 ,  MBE成長 ,  電圧 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： バイアス電流 ,  *ヒ化アンチモン化ガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 化合物半導体 ,  有効質量 ,  エレクトロルミネセンス ,  GaAsSb ,  InGaAsN ,  量子井戸

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  成長 ,  GaAsSb ,  量子井戸 ,  ダイオード ,  アニーリング