抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Cu箔上にCVD法を用いて単層グラフェンを作製した。Cu箔は,Fe(NO)
3溶液によってエッチングした。単層グラフェンは,SiO
2/Si基板上に転写し,単層グラフェン(下層部)//SiO
2/Siを作製した。単層グラフェン(上層部)をFe(NO)
3または,CaCl
2溶液に浸漬させ,単層グラフェン(下層部)//SiO
2/Siで掬い上げ転写し単層グラフェン(上層部)/金属原子/単層グラフェン(下層部)//SiO
2/Siを作製した。すべての試料で2層グラフェンのG/2D比0.4より高い値となっていた。Fe(NO)
3溶液の濃度を0.06mol/Lで作製した試料の室温でのシート抵抗は,500kΩ/sq.となり,抵抗温度依存性は,半導体的性質を示した。Fe(NO)
3溶液の濃度を0.12mol/Lで作製した試料の室温でのシート抵抗は,1300Ω/sq.となり,抵抗温度依存性は,合金的性質を示した。CaCl
2溶液の濃度を0.12mol/Lで作製した試料の室温でのシート抵抗は,6430Ω/sq.となり,抵抗温度依存性は,合金的性質を示した。(著者抄録)