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J-GLOBAL ID：201702280428001844   整理番号：17A1422701

imecにおける高スループットイオンビーム分析【Powered by NICT】

High-throughput ion beam analysis at imec

著者 (3件)： Meersschaut J. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Vandervorst W. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Vandervorst W. (IKS, KU Leuven, Celestijnenlaan 200D, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 406  号： PA  ページ： 25-29  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： imecでイオンビーム解析活動について述べた。飛行エネルギー(TOF E)弾性反跳検出分析のRutherford後方散乱分光法および時間はナノエレクトロニクス研究と開発を支援するために追求した。実験装置について概説し,新しいデータ収集ソフトウェアプラットフォームを導入した。最後に,300mm Siウエハ上の金属薄膜の厚さをマッピングするためにRutherford後方散乱分光法の利用を説明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ソフトウェアプラットフォーム ,  *Rutherford散乱分光法 ,  金属薄膜 ,  データ収集
準シソーラス用語： ERD分析 ,  *イオンビーム分析 ,  *ハイスループット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： イオンビーム分析 ,  ナノエレクトロニクス ,  Rutherford後方散乱分光法

分類 (5件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  その他の物理分析  (CC03014E) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  イオンとの相互作用  (BK16070Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： 高スループット ,  イオンビーム分析