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J-GLOBAL ID：201702280511329253   整理番号：17A1273365

高アバランシェ安定性とアンクランプ誘導スイッチング(UIS)能力を持つRFCダイオード【Powered by NICT】

RFC diode with high avalanche stability and UIS capability

著者 (5件)： Masuoka Fumihito (Power Semiconductor Device Development Dept., Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan) ,  Tanaka Koji (Power Semiconductor Device Development Dept., Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan) ,  Kachi Takao (Power Semiconductor Device Development Dept., Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan) ,  Yoshiura Yasuhiro (Power Semiconductor Device Development Dept., Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan) ,  Shimizu Kazuhiro (Power Semiconductor Device Development Dept., Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 131-134  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高いアバランシェ安定性と非減衰誘導スイッチング(UIS)能力を実現する陰極(RFC)ダイオードの緩和場に対する新しい背面設計を提案した。従来RFCダイオードの場合,広い回収SOAはオン状態でのキャリア濃度を低下させると回復の間の境界領域をキャリア濃度を抑制するエッジ終端領域の裏側にp層を形成することにより実現した。一方,通常のRFCダイオードのオフ状態におけるアバランシェ安定性はPINダイオードと比較して分解される。破壊解析と数値シミュレーションは,アバランシェ安定性劣化はアノード端での垂直寄生pnpトランジスタ構造の二次破壊により引き起こされることを教えた。寄生pnpトランジスタの影響を抑制するために,うまく調整幅(W_n)を持つ層を使い,電子に対するキャリアシンクとしてカソード側のアノード領域の端で正確に置いた。結果として,新しい背面設計を有する新しいRFCダイオードは,全損失,スナップオフ能力と回復SOAに負の影響がないので,アバランシェ安定性とアンクランプ誘導スイッチング(UIS)能力を得た。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： PINダイオード ,  *スイッチング ,  シミュレーション ,  キャリア密度 ,  *ダイオード ,  境界領域 ,  緩和現象
準シソーラス用語： pnpトランジスタ ,  数値シミュレーション ,  破壊解析 ,  オフ状態 ,  オン状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 安定性 ,  誘導 ,  スイッチング ,  能力 ,  RFC ,  ダイオード