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J-GLOBAL ID：201702280557789984   整理番号：17A0621594

改良された3層陽極接合と高性能ゲッターによる高尖鋭度ウエハレベルパッケージとマイクロ共振圧力センサとしての評価

High-Q Wafer Level Package Based on Modified Tri-Layer Anodic Bonding and High Performance Getter and Its Evaluation for Micro Resonant Pressure Sensor

著者 (6件)： WANG Liying (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  DU Xiaohui (Instrumentation Technol. & Economy Inst., Beijing, CHN) ,  WANG Lingyun (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  XU Zhanhao (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  ZHANG Chenying (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  GU Dandan (Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
資料名： Sensors (Web)  (Sensors (Web))
巻： 17  号： 3  ページ： WEB ONLY  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： U7015A  ISSN： 1424-8220  CODEN： SENSC9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ共振圧力センサの高尖鋭度を達成,維持する為,ガラス,シリコン,シリカ積層構造とチタンゲッターのクロスレイヤ陽極接合技術を採用した新しいウエハレベルパッケージを提案した。共振層と圧力検出層をシリコン直接ボンデング(SDB)によって接合し,シリコンオンインシュレータ(SOI)ウエハと同じ2相構造を構成した。圧力検出層とガラスキャップ層の接合品質を高める為,クロスレイア陽極接合技術を使用した。この技術は圧力検出層と共振層を組み合わせたウエハにアルミニウムを真空蒸着し,電気回路を形成するものである。この技術のモデルと接合効果について述べた。又,チタンゲッターの性能を高める為,異なる蒸着条件下でのチタンゲッターの活性化パラメータを最適化した。更に,高尖鋭度特性を維持する為,マグネトロンスパッタリングによって,ガラスの溝の中にチタンゲッターを堆積(厚さは300nmから500nm)させた。10,000回以上の尖鋭度試験を行い,73%以上が満足な尖鋭度を示した。又,1.5年経過しても尖鋭度は変わらなかった。クロスレイア陽極接合技術とゲッター技術により,長期に安定した性能を持つ高尖鋭度特性の共振構造を実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *接合 ,  *ICパッケージ ,  *センサ ,  真空蒸着 ,  圧力センサ ,  ゲッタリング ,  マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： *ウエハレベルパッケージ ,  *マイクロセンサ ,  非蒸発性ゲッタ ,  *陽極接合

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 陽極接合 ,  高性能 ,  ゲッター ,  尖鋭度 ,  ウエハレベルパッケージ ,  共振 ,  圧力センサ ,  評価