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J-GLOBAL ID：201702280581880874   整理番号：17A0407299

電気的性質の調節とA LD derived Al_2O_3不動態化層によるHfAlO/Geゲートスタックの電流伝導機構【Powered by NICT】

Modulation of electrical properties and current conduction mechanism of HfAlO/Ge gate stack by ALD-derived Al₂O₃ passivation layer

著者 (8件)： He G. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230039, China) ,  Li W.D. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230039, China) ,  Wei H.H. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230039, China) ,  Jiang S.S. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230039, China) ,  Xiao X.D. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230039, China) ,  Jin P. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230039, China) ,  Gao J. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230039, China) ,  Gao J. (School of Sciences, Anhui University of Science and Technology, Huainan 232001, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 1591-1599  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfAlO層におけるAl_2O_3不動態化層と異なるAl_2O_3濃度HfAlO/Geゲートスタックを原子層堆積によりGe基板上に堆積した。容量-電圧及び電流密度-電圧曲線から測定に基づいて,HfAlO/Al_2O_3/Geゲートスタックに基づくGeベースMOSキャパシタの電気的特性の展開を,前駆体比とアニーリング温度の関数として決定した。HfAlO膜の高アニーリング温度と高いAl_2O_3取り込みは,低ヒステリシス,低フラットバンド,低フラットバンドシフトと低界面状態密度のような改善された電気的性質を得ることができることが分かった。しかし,酸化膜電荷密度は,アニーリング温度の上昇およびHfAlO膜におけるAl_2O_3取込の減少と共に増加した。解析と計算により,500°Cでアニールした試料は最低の漏れ電流密度を保持し,前駆体比の変化は500°CでアニールしたGe MOSキャパシタの明らかな影響を示さないことが認められた。HfAlO/Al_2O_3ゲートスタックを用いたGe MOSキャパシタの電流伝導機構を調べるために,電流密度-電圧測定は,アニーリング温度と前駆体比の関数として実施した。基板注入のための蒸着したままの膜と500°CでアニールしたHfAlO/Al_2O_3/Ge MOSキャパシタの関与する漏れ電流伝導機構も詳細に議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流密度 ,  *不動態化 ,  コンデンサ ,  *ゲルマニウム ,  ヒステリシス ,  *電流 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 漏れ電流密度 ,  電荷密度 ,  界面状態密度 ,  フラットバンド ,  アニーリング温度 ,  MOSコンデンサ ,  *伝導機構 ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高kゲート誘電体 ,  原子層堆積 ,  漏れ電流伝導機構 ,  電気的性質 ,  MOSキャパシタ

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電気的性質 ,  調節 ,  LD ,  不動態化 ,  Ge ,  ゲートスタック ,  伝導