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J-GLOBAL ID：201702280614986447   整理番号：17A1917705

新しいシングルエンド無線EV充電器の最適設計とSiC-MOSFETとIGBTの熱的比較評価【Powered by NICT】

Optimum design of a new single-ended wireless EV charger and comparative thermal evaluation of SiC-MOSFET and Si-IGBT

著者 (7件)： Yamamoto Aoto (Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Omori Hideki (Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Fukuda Kenji (Advanced Power Electronics Research Center National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Michikoshi Hisato (Advanced Power Electronics Research Center National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Kimura Noriyuki (Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Morizane Toshimitsu (Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Nakaoka Mutsuo (University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDPE  ページ： 76-81  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しく開発したSiC-MOSFETを持つ最も単純な準共振ソフトスイッチングパルス変調インバータを統合した費用対効果の高い無線EV充電器を検討した。第一位では,手頃な価格のための費用対効果に優れ簡単なE級シングルエンドインバータを用いた無線EV(電気自動車)充電器の動作原理を述べた。型無線共振EV(電気自動車)充電器の同期PWM駆動により制御されるE級スイッチングの条件下で効率的に作動できた。・第二部で,受信無線電力伝送回路の比較研究を示した。送信電力を確保するために,受電回路の構成を最適化した。三位では,無線EV(電気自動車)充電器におけるSiC-MOSFETおよびIGBTの比較損失温度評価について述べた。最終場所では,パワーデバイスのための駆動回路を最適化するために,ターンオフ損失と駆動条件の間の関係を研究した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  駆動回路 ,  ソフトスイッチング ,  共振 ,  パルス変調 ,  ターンオフ ,  電気自動車 ,  *最適設計 ,  *IGBT ,  *充電装置 ,  *MOSFET ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  費用対効果 ,  *ワイヤレス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 無線 ,  EV ,  充電器 ,  最適設計 ,  SiC ,  MOSFET ,  IGBT ,  比較評価