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J-GLOBAL ID：201702280646390459   整理番号：17A1834133

フォトニックデバイストリミングのためのシリコンへのイオン注入【Powered by NICT】

Ion implantation in silicon for photonic device trimming

著者 (7件)： Milosevic Milan M. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton Southampton, United Kingdom) ,  Chen Xia (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton Southampton, United Kingdom) ,  Cao Wei (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton Southampton, United Kingdom) ,  Thomson David J. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton Southampton, United Kingdom) ,  Reed Graham T. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton Southampton, United Kingdom) ,  Littlejohns Callum G. (Silicon Centre of Excellence, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore) ,  Wang Hong (Silicon Centre of Excellence, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO-PR  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 素子トリミングのための集積フォトニクス素子における屈折率変化ゲルマニウムイオン注入を実施した。イオン注入した断面の部分焼なましは共鳴波長ピーク位置を調整する標的波長に永久に可能性を明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  波長 ,  *ケイ素 ,  *イオン注入 ,  屈折率 ,  ゲルマニウム ,  *トリミング
準シソーラス用語： 共鳴波長 ,  フォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン ,  イオン注入