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J-GLOBAL ID：201702280791138001   整理番号：17A1250036

完全室温プロセスにより作製したポリエチレンナフタレート上の全スパッタした柔軟性のあるボトムゲートIGZO/Al_2O_3二層薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

All-sputtered, flexible, bottom-gate IGZO/Al₂O₃ bi-layer thin film transistors on PEN fabricated by a fully room temperature process

著者 (11件)： Zheng Zeke (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zeng Yong ,  Yao Rihui ,  Fang Zhiqiang ,  Zhang Hongke ,  Hu Shiben ,  Li Xiaoqing ,  Ning Honglong ,  Peng Junbiao ,  Xie Weiguang ,  Lu Xubing
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 28  ページ： 7043-7050  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非晶質InGaZnO(IGZO)/Al_2O_3二層チャネルを用いた革新的な全スパッタ蒸着したボトムゲート薄膜トランジスタ(TFT)をフレキシブルPEN基板上の完全に室温プロセスにより作製した。10nm厚IGZOと3nm厚Al_2O_3の二層チャネルから成る高分解能TEM画像で明確に観察した。IGZOの化学構造は異なるスパッタリングモード(パルスDC/DC/RF)に依存しており,これはXPS測定により調べた。IGZO上の超薄Al_2O_3層は移動度を促進し,オフ状態電流を低減し,ゲートバイアス安定性の改善に大きな効果を示した。その結果,IGZO/Al_2O_3二層TFTは飽和移動度18.5cm~2V~ 1s~ 1の,I_on/I_off比10~7の1.5Vのオン状態電圧と0.27V10~ 1のサブしきい値スイング,NBS/PBSと曲げ歪みの下での良好な安定性を示した。このTFTの作製は適切に大型アレイまたは紙状基板,ディスプレイ開発の傾向と一致しているに移すことができた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  表示装置 ,  電流 ,  チャネル ,  *ポリエチレンナフタレート ,  スパッタ蒸着 ,  *柔軟性 ,  *薄膜トランジスタ ,  移動度 ,  非晶質
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  化学構造 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *ボトムゲート ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： 室温 ,  プロセス ,  作製 ,  ポリエチレンナフタレート ,  スパッタ ,  ボトムゲート ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ