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J-GLOBAL ID：201702281292994459   整理番号：17A1649717

Al_xGa_1xN/GaN MOSHEMTの直流及び交流特性に及ぼすAlGaN障壁層の影響【Powered by NICT】

Impact of AlGaN barrier layer on DC and AC characteristics of Al_xGa_1-xN/GaN MOSHEMT

著者 (3件)： Tiwari Nishi (School of Electronics Engineering, KIIT University, Bhubaneswar) ,  Gupta Suraj Kumar (School of Electronics Engineering, KIIT University, Bhubaneswar) ,  Mishra S. N. (School of Electronics Engineering, KIIT University, Bhubaneswar)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEMENTech  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電子移動度トランジスタを備えた広帯域(Wバンド)金属酸化物半導体は25nm,30nm,35nm,40nm Al_xGa_1xN層厚さを持つAl_xGa_1xN/GaNヘテロ構造上の目的であった。より厚いAlxGa1 xN層を持つAl_xGa_1xN/GaN MOSHEMTは他の薄いAl_xGa_1xN層よりも良好なRF特性を示し,短チャネル効果のより良い除去によるものであった。厚さ40nmの場合,最大遮断周波数は約11THzであるが,25nm,30nmおよび35nmの場合の最大遮断周波数はそれぞれ約7.5THz,6THzおよび5THzである。DC性能の場合にはAlxGa1 xN/GaN MOSHEMTの特性のいくつかは薄いAl_xGa_1xN層厚さを有する良好な性質を示した。AlGaN層の厚さを増加させるかどうか,短チャネル効果は,より薄い障壁層と比較してデバイスでより顕著ではないと結論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *交流 ,  短チャネル効果 ,  広帯域 ,  半導体 ,  *HEMT ,  遮断周波数 ,  金属酸化物
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  Wバンド ,  *バリア層 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  直流 ,  交流 ,  AlGaN ,  障壁層