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J-GLOBAL ID：201702281377340262   整理番号：17A0965738

高品質不動態化を用いたテクスチャードシリコン基板上に真性水素化非晶質シリコン(a Si:H)薄膜の研究【Powered by NICT】

Investigation of intrinsic hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films on textured silicon substrate with high quality passivation

著者 (5件)： Min-Lun Yu (Department of Energy Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan (R.O.C.)) ,  Yu-Lin Hsieh (Department of Mechanical Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan (R.O.C.)) ,  Sheng-Kai Jou (Department of Mechanical Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan (R.O.C.)) ,  Li Tomi T. (Department of Mechanical Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan (R.O.C.)) ,  Chien-Chieh Lee (Optical Science Center, National Central University, Taoyuan, Taiwan (R.O.C.))
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)により堆積した真性水素化非晶質シリコン(a Si:H)薄膜はシリコン基板上にヘテロ接合シリコン太陽電池の適用について検討した。プロセス中に,発光分光計(OES)と四重極質量分析(QMS)を用いてプラズマ中のフリーラジカルの濃度を分析した。結果はPECVDでの電極間距離は35mmであったときより良い表面再結合速度(SRV)だが凹凸のあるシリコン基板上のa-Si:H薄膜の不動態化品質が得られることを示した。さらに,電極間距離は35mmであったが,OES(Si*/SiH*)とQMS(SiH_2/SiH_3)における最低電子温度と同じスペクトル比傾向がそれぞれ得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： プラズマCVD ,  電子温度 ,  *水素化 ,  ヘテロ接合 ,  *不動態化 ,  プラズマ ,  *アモルファスシリコン ,  ラジカル ,  *薄膜 ,  *品質
準シソーラス用語： *a-Si:H ,  表面再結合速度 ,  電極間距離 ,  シリコン太陽電池 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高品質 ,  不動態化 ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  Si ,  薄膜 ,  研究