文献

J-GLOBAL ID：201702281383162658   整理番号：17A1567869

p型Cu_2O薄膜トランジスタにおける高オフ状態電流の起源【Powered by NICT】

The Origin of the High Off-State Current in p-Type Cu₂O Thin Film Transistors

著者 (2件)： Han Sanggil (Engineering Department, Electrical Engineering Division, Cambridge University, Cambridge, U.K.) ,  Flewitt Andrew J. (Engineering Department, Electrical Engineering Division, Cambridge University, Cambridge, U.K.)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 10  ページ： 1394-1397  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は金属酸化物半導体チャネルを用いて良好な品質のp型蓄積モード薄膜トランジスタ(TFT)が必要である。P型酸化第一銅(Cu_2O)は適切な半導体として提案されているが,そのようなTFTは,受け入れ難いほど高いオフ状態電流に悩まされてきた。はこの高いオフ状態電流の主な起源を研究した。静電容量-電圧特性はオフ状態領域(即ち,正のゲート電圧)における少数キャリア(電子)の蓄積を明らかにした。ゲート電圧の関数としてのドレイン電流の温度依存性から抽出した活性化エネルギーはオフ状態領域におけるFermiエネルギーの活性化エネルギーとピン止めの急激な低下は,伝導帯の底から0.38eVのサブギャップ状態に起因することを示した。これはオフ状態中の電子流はp型Cu_2O TFTの高オフ状態電流と正孔のチャネルを枯渇しない不能を引き起こすことを示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ピン止め ,  正孔 ,  温度依存性 ,  *薄膜トランジスタ ,  伝導バンド ,  半導体 ,  活性化エネルギー ,  *電流 ,  少数キャリア ,  チャネル ,  Fermi準位 ,  静電容量
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  ゲート電圧 ,  *オフ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜トランジスタ ,  オフ状態 ,  起源