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J-GLOBAL ID：201702281395250567   整理番号：17A1275413

Cuピラー相互接続を用いたチップパッケージ相互作用評価に衝撃を与える主要な要因の系統的研究【Powered by NICT】

Chip package interaction with Cu Pillar interconnects - systematic study of key factors impacting the qualification

著者 (8件)： Boehme Bjoern (GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109, Germany) ,  Breuer Dirk (GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109, Germany) ,  Goetze Christian (GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109, Germany) ,  Estoque Al Rhea (ASE Group Kaohsiung, 26. Chin 3rd Rd., Nantze Export Processing Zone, Taiwan 811) ,  Tischer Falk (GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109, Germany) ,  Kuechenmeister Frank (GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109, Germany) ,  Paul Jens (GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109, Germany) ,  Thiele Michael (GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NordPac  ページ： 68-73  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度シリコン技術ノードは超低k(ULK)材料から成るライン(BEOL)スタックのバックエンドを使用している。フリップチップ(FC)パッケージとCuピラー第一レベル相互接続と組み合わせたULK材料はチップパッケージ相互作用(CPI)特性化戦略を必要とする。シリコンダイと高分子基板の間の熱的不整合または反り誘起応力を説明するために必要であるパッケージレベル試験。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不整合 ,  *衝撃 ,  フリップチップ法 ,  *銅 ,  ケイ素 ,  キャラクタリゼーション ,  *相互接続 ,  *相互作用
準シソーラス用語： 高分子基板 ,  BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： Cu ,  ピラー ,  相互接続 ,  パッケージ ,  相互作用 ,  評価 ,  衝撃 ,  要因 ,  系統 ,  研究