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J-GLOBAL ID：201702281410682301   整理番号：17A1239843

可視-近赤外広帯域フォトダイオードの空乏領域を介した選択的電子または正孔輸送に及ぼすピエゾ-フォトトロニック効果【Powered by NICT】

Piezo-Phototronic Effect on Selective Electron or Hole Transport through Depletion Region of Vis-NIR Broadband Photodiode

著者 (13件)： Zou Haiyang (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Li Xiaogan (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Li Xiaogan (School of Electronic Science and Technology, Institute for sensing Technologies, Dalian University of Technology, Dalian, Liaoning, 116024, China) ,  Peng Wenbo (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Wu Wenzhuo (School of Industrial Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, 47907-2023, USA) ,  Yu Ruomeng (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Wu Changsheng (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Ding Wenbo (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Hu Fei (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Liu Ruiyuan (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Zi Yunlong (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Wang Zhong Lin (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Wang Zhong Lin (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 29  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンは,ほぼすべてのマイクロエレクトロニクス今日を支えると来たるべき数十年にし続けるであろう。しかし,シリコンフォトニクスのためのシリコンの間接バンドギャップと調整の欠如は,広帯域フォトダイオードのような応用におけるその使用を厳しく制限する。,可視から高感度,高速応答および良好な安定性を有する近赤外光への広い波長範囲で稼働する高性能p-Si/n-ZnO広帯域フォトダイオードを報告した。近赤外波長の光の吸収はナノ構造/組織化上部表面により顕著に増強された。広帯域フォトダイオードの一般的な性能はピエゾ-フォトトロニック効果によりさらに改善できる。応答性の増強は,78~442nmの照射の最大に達し,1060nm光への直線性と飽和限界も外部歪を適用することにより有意に増加した。フォトダイオードは異なる波長の光を照射した空乏領域を通過する光生成電荷キャリア(電子または正孔)を選択し選択的に,初めて電子または正孔輸送に及ぼすピエゾ-フォトトロニック効果を別々に調査することである。これはピエゾトロニクスに関する完全な理解を開発するために,その基本原理を研究するために必須であり,それはまた,オプトエレクトロニクスの良好な性能の開発を可能にした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 応答特性 ,  *近赤外線 ,  *正孔 ,  波長 ,  *広帯域 ,  オプトエレクトロニクス ,  酸化亜鉛 ,  ケイ素 ,  高感度 ,  *フォトダイオード ,  光検出器 ,  ナノ構造 ,  マイクロエレクトロニクス
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  *正孔輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 広帯域光検出器 ,  ピエゾ-フォトトロニック効果 ,  p-Si/n-ZnO ,  可視/近赤外 ,  ZnOナノワイヤアレイ

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 近赤外 ,  広帯域 ,  フォトダイオード ,  空乏領域 ,  電子 ,  正孔輸送