文献

J-GLOBAL ID：201702281439272807   整理番号：17A1090393

iN7 金属2に向けたレチクル増強法

Reticle enhancement techniques towards iN7 Metal2

著者 (8件)： GILLIJNS W. (imec, Leuven, BEL) ,  TAN L. E. (imec, Leuven, BEL) ,  DRISSI Y. (imec, Leuven, BEL) ,  BLANCO V. (imec, Leuven, BEL) ,  TRIVKOVIC D. (imec, Leuven, BEL) ,  KIM R. H. (imec, Leuven, BEL) ,  GALLAGHER E. (imec, Leuven, BEL) ,  MCINTYRE G. (imec, Leuven, BEL)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10143  ページ： 1014314.1-1014314.11  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： imec N7(iN7)プラットフォームは先端的ロジックBEOL(ウエハプロセス後工程)層のEUVパターン形成を評価するために開発された。金属2(m2)層に関して,imecはEUV単一印刷とSAOP+EUVブロックの二種類の統合手法を評価している。本論文では,EUV直接印刷選択肢のためのテープアウト前に行った計算作業について述べた。まず,ASML NXE:EUV走査装置のEUV光源マスク最適化を論じた。次に,光近接効果補正(OPC)とそのモデリングに触れた。現在の設計ルールとMCに基づくと,印刷適性チェックは限られたプロセスウィンドウしか得られない。MRCと設計を通して印刷適性を向上させる方法を提案した。これらの変更を行うことで,十分なプロセスウィンドウが得られる。

シソーラス用語： *レチクル ,  *フォトリソグラフィー ,  極端紫外線 ,  回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  補正 ,  モデリング ,  *マスク ,  最適化
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  *マスクルールチェック ,  光近接効果補正 ,  光源マスク最適化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： レチクル ,  増強