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J-GLOBAL ID：201702281442597862   整理番号：17A0402816

レーザ干渉,EBDWとNSOMリソグラフィーによるAZ5214eフォトレジストの研究【Powered by NICT】

Investigation of the AZ 5214E photoresist by the laser interference, EBDW and NSOM lithographies

著者 (5件)： Skriniarova J. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Bratislava, Slovakia) ,  Pudis D. (Department of Physics, University of Zilina, Zilina, Slovakia) ,  Andok R. (Department of E-Beam Lithography, Institute of Informatics, Slovak Academy of Sciences, Bratislava, Slovakia) ,  Lettrichova I. (Department of Physics, University of Zilina, Zilina, Slovakia) ,  Uherek F. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Bratislava, Slovakia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 226-231  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,選択したリソグラフィーAZ5214eフォトレジスト,は通常,UV感受性の使用の比較を示したが,電子ビーム曝露への感度を調べた。三リソグラフィー,電子ビーム直接描画リソグラフィー(EBDW),レーザ干渉リソグラフィー(IL)と非接触近視野走査光学顕微鏡(NSOM)リソグラフィーは,ここで議論し,簡単なパターンの露出したアレイ上での結果を示した。EBDWとILを用いて,1/2ミクロン周辺構造の周期を達成し,著者らが研究したフォトレジストを用いた標準光学的フォトリソグラフィーにより達成され通常より小さいか同程度の大きさの達成可能性を実証した。期間わずかに以上の非接触NSOMリソグラフィー構造をミクロンが達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  フォトリソグラフィー ,  感受性 ,  近接場 ,  フォトニック結晶 ,  電子ビーム ,  走査光学顕微鏡 ,  *リソグラフィー
準シソーラス用語： 非接触 ,  レーザ干渉リソグラフィー ,  直接描画 ,  *レーザ干渉 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AZ5214eフォトレジスト ,  レーザ干渉リソグラフィー ,  EBDWリソグラフィー ,  非接触NSOMリソグラフィー ,  フォトニック結晶構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ干渉 ,  NSOM ,  リソグラフィー ,  フォトレジスト ,  研究