文献
J-GLOBAL ID:201702281444793440   整理番号:17A1906969

真空電界放出トランジスタ設計における仕事関数の考察

Work function consideration in vacuum field emission transistor design
著者 (7件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 062203-062203-4  発行年: 2017年11月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ナノスケールゲートオールアラウンド(GAA)真空電界放出トランジスタ(VFET)の電気的特性に及ぼす仕事関数エンジニアリングの影響を,三次元技術コンピュータ支援設計シミュレーションを用いて調べた。低いゲート仕事関数は,低電力動作に適したしきい値電圧へと低下させるために有用である。予想されたように,低いエミッタ仕事関数のGAA VFETは,エミッタと真空チャネル間の電子トンネル障壁高さの減少のために,低いしきい値電圧と大きなオン電流を提供する。様々なコレクタ材料で一定のしきい値電圧挙動が観測されたが,より高いコレクタ仕事関数はコレクタ側近くのトンネル障壁高さを増加させ,コレクタから真空へのキャリア生成を軽減し,より低いゲート漏れ電流と高いオン電流をもたらした。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
熱電子放出,電界放出  ,  トランジスタ  ,  集積回路一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る