文献

J-GLOBAL ID：201702281518987010   整理番号：17A1005795

集積抵抗ランダムアクセスメモリアレイの信頼性に対する残留炭素含量の主要な影響の機構

Mechanism of the Key Impact of Residual Carbon Content on the Reliability of Integrated Resistive Random Access Memory Arrays

著者 (13件)： NIU Gang (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  NIU Gang (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU) ,  CARTOIXA Xavier (Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra, ESP) ,  GROSSI Alessandro (Universita degli Studi di Ferrara, Ferrara, ITA) ,  ZAMBELLI Cristian (Universita degli Studi di Ferrara, Ferrara, ITA) ,  OLIVO Piero (Universita degli Studi di Ferrara, Ferrara, ITA) ,  PEREZ Eduardo (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHUBERT Markus Andreas (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU) ,  ZAUMSEIL Peter (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU) ,  COSTINA Ioan (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHROEDER Thomas (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHROEDER Thomas (Brandenburgische Technische Univ., Cottbus, DEU) ,  WENGER Christian (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 12  ページ： 7005-7014  発行年： 2017年03月30日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多面において従来の性能を凌駕する抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)の開発を目指して,HfO₂由来の4kビットRRAMアレイに残留した炭素が抵抗スイッチング(RS),とりわけ耐久性に与える主要な影響の解明を行った。研究は統計的で電気物性,材料科学および理論の面にわたる。炭素原子が酸素空孔と相互作用し,さらにフィラメントとして働く機構は密度汎関数計算の結果から完全に理解できた。酸素欠乏環境下で,炭素原子は酸素空孔(V_O)サイトを占め,高い破壊エネルギーを必要とする導電性フィラメントを形成するので耐久性は低下する。残留炭素の割合がより少ないHfO₂フィルムのデバイスでは信頼性はより高くなる。HfO₂の蒸着温度を制御して残留炭素濃度を4%以下にして,高信頼性のHfO₂由来の集積化4kビットRRAmアレイを製造することができた。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *残留炭素 ,  酸化ハフニウム ,  スイッチング ,  *集積 ,  空格子点 ,  フィラメント ,  耐久性 ,  記憶素子
準シソーラス用語： *メモリアレイ ,  酸素空孔 ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗ランダムアクセスメモリ

分類 (3件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集積 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  アレイ ,  信頼 ,  残留 ,  炭素含量