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J-GLOBAL ID：201702281664928905   整理番号：17A1276925

疲労荷重下の単結晶シリコン中の亜臨界滑り成長の世界初の電子イメージング【Powered by NICT】

World-first electronic imaging of subcritical slip growth in single crystal silicon under fatigue loading

著者 (4件)： Kamiya Shoji (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Kongo Akira (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Sugiyama Hiroko (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Izumi Hayato (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： TRANSDUCERS  ページ： 1229-1232  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン滑り繰返し載荷,subcriticai損傷を蓄積するサイクル数後の疲労破壊を引き起こす非常に可能性がある。応力集中領域に亘ってp-n接合を作製することにより,繰返し圧縮応力を受ける単結晶シリコン中のすべり変形の痕跡が電界放出走査電子顕微鏡で得られた電子ビーム誘起電流(EBIC)像の中にうまく捕獲された。これらの画像は,長いbelieved表面酸化起因疲労破壊のミラージュブロー離れたであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *画像処理 ,  画像 ,  PN接合 ,  *疲れ荷重 ,  電子ビーム ,  *貨物 ,  圧縮応力 ,  電流 ,  疲れ破壊 ,  電子線誘起電流 ,  応力集中
準シソーラス用語： 表面酸化 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  滑り変形 ,  *単結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 疲労荷重 ,  単結晶シリコン ,  亜臨界 ,  世界 ,  電子 ,  イメージング